1 Stück G20N60B3D IGBT IGBT Transistor 40A/600V N-Channel TO-247 Hyperfast Diode

Achtung Abbildung kann geringfügig abweichen.

Type of IGBT channel: N-Channel

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor: 165W

Maximum collector-emitter voltage (Uce): 600V

Collector-emitter saturation voltage (Ucesat): 2V

Maximum collector-gate voltage (Ucg): 600V

Maximum gate-emitter voltage (Ueg): 20V

Maximum collector current (Ic): 40A

Maximum junction temperature (Tj): 150°C

Rise time or frequency switching: 25/220nS

(20N60A3D,G20N60A3D)

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