Höchste Performance bei gleichzeitig kompakter Bauweise! Dank moderner GaN-Technologie kann dieses Netzteil beide Merkmale auf sich vereinen!

Im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren aus Silizium haben Galliumnitrid (GaN)-Typen bei gleicher Leistung eine geringere Wärmeentwicklung. Diese Eigenschaft erlaubt es den Ingenieuren die Bauteile im Gehäuse etwas enger anzuordnen und dadurch Platz zu sparen.


Merkmale