10  x  2N7000  Mosfet TRANSISTOR  N-FET   60V/ 0,2A  0,4W   TO92 NEU






  • Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Maximale Durchlassspannung (VD(on)): 1,2 V (bei 250 mA)
  • Maximale Drainstrom-Id: 200 mA (kontinuierlich)
  • Maximale Verlustleistung (Pd): 400 mW
  • Kanalwiderstand (RDS(on)): 5 Ohm (typisch)




























Halbleiter und Röhren sind vom Umtausch ausgeschlossen.

Vom Umtausch ausgeschlossen sind alle Teile, die bereits eingebaut waren.

 
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