Der IRF530N ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einem niedrigen Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit. Er ist ein beliebtes Bauteil in der Elektronik und wird oft in Schaltungen eingesetzt, die hohe Ströme und Spannungen erfordern.



Technische Daten:

Nennspannung: 100V
Nennstrom: 17A
Durchlasswiderstand: min. 90 mOhm
Gate-Source-Spannung (max.): ±20V
Schaltgeschwindigkeit: 100 ns (max.)
Gehäusetyp: TO-220AB
Temperaturbereich: -55°C bis +175°C


Der IRF530N ist aufgrund seiner hohen Leistung und niedrigen Durchlasswiderstand ideal für Anwendungen mit hohen Strömen und Spannungen wie Motorsteuerungen, Stromversorgungen, Audioverstärkern und Schaltreglern. Darüber hinaus bietet er eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine hohe Zuverlässigkeit.

Das TO-220AB-Gehäuse ist robust und bietet eine gute Wärmeableitung, was den Betrieb des Transistors bei hohen Temperaturen ermöglicht. Mit einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C ist der IRF3205 auch für anspruchsvolle Umgebungen geeignet.

Zusammenfassend ist der IRF530N ein leistungsstarker MOSFET-Transistor mit niedrigem Durchlasswiderstand, hoher Schaltgeschwindigkeit und breitem Temperaturbereich. Er ist eine zuverlässige und leistungsfähige Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen in der Elektronik.