GT30J122 - IGBT.

Type: GT30J122

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 75

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 600

Tension de saturation collecteur émetteur (Vcesat): 2.1

Tension Grille – Émetteur (Veg): 20

Courant de Collecteur en DC (Ic): 30

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation:

Capacité de sortie (Cc), pF:

Boitier: 2-16F1A