Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
ja
Technologie:
Si
Montageart:
Through Hole
Verpackung/Gehäuse:
TO-220-3
Transistorpolung:
N-Channel
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:
55 V
Id - Drain-Gleichstrom:
28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
16 V
Qg - Gate-Ladung:
32 nC
Pd - Verlustleistung:
38 W
Konfiguration:
Single
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Transistorart:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon / IR
Gewicht pro Stück:
6g