Siemens Components BUZ50A Transistor MOS-N-FET-e V-MOS Gehäuse TO220.

Eigenschaften :
• MOS-N-FET-e; V-MOS
• Größere Mengen - anfragen bitte

Technische Daten :
• Gehäuse: TO220
• Uds: 1000V
• Id: 2,5A
• Ptot: 75W
• Rdson: < 5R