Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8 IRL6372TRPBF Multikanaltransistoren

Technische Daten • Hersteller: Infineon (IRF) • Transistor-Typ: N-MOSFET x2 • Technologie: HEXFET® • Polarisierung: unipolar • Drain-Source Spannung: 30V • Drainstrom: 8.1A • Verlustleistung: 2.5W • Gehäuse: SO8 • Gate-Source Spannung: ±12V • Widerstand im Leitungszustand: 17.9mΩ • Montage: SMD • Verpackungs-Art: Band • Verpackungs-Art: Rolle • Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level • Lieferumfang: 1 Stk.  Ähnliche Artikel Ähnliche Artikel finden Sie in unserem Shop in folgender Kategorie: "Elektronik > Bauelemente (R / C / LED u.a.) > SMD Transistoren".  Preisvorschläge / Rabatte Einige Artikel besitzen eine Preisvorschlagsfunktion. Diese können Sie gerne bei Erwerb von mehr als 10 gleichen Artikeln nutzen. Unter dieser Stückzahl, lehnt unsere Software den Preisvorschlag automatisch ab. Falls keine Preisvorschlagsfunktion vorhanden ist, oder Sie über 10 unterschiedliche Artikel erwerben wollen setzen Sie sich bitte mit uns in Verbindung. Unsere Artikel sind alle in der angegebenen Stückzahl abgepackt. Sie können daher von einem Artikel immer nur ein Vielfaches dieser Abpackungen bestellen. Ein Mischen verschiedener Artikel innerhalb der angegebenen Stückzahl ist leider nicht möglich.

Um ein Bild zu vergrößern oder dem Link zu folgen, klicken Sie bitte auf das gewünschte Bild.