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Infineon Silicon Carbide Schottky Diode - 2nd Generation ThinQ!™
Sie bieten auf 1 Stück SiC Diode IDH10S60C
- Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
- Switching behavior benchmark
- No reverse recovery / No forward recovery
- Temperature independent switching behavior
- High surge current capability
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Breakdown voltage tested at 5mA
- Optimized for high temperature operation
- Lowest Figure of Merit QC/IF
- CCM PFC
- Motor Drives
Menge: 1 Stück
Artikelnummer: 856054
Artikelbezeichnung: IDH10S60C
Marking: D10S60C
Nennstrom IF(Tc<140°C): 10A
Durchlassspannung VF (typ.): 1,5 - 1,7V
Periodische Spitzensperrspannung VRRM: 600V
Funktion: SiC-Schottky 600V 10A TO220AC
Betriebstemperaturbereich: -55...175°C
Gehäuse: TO220AC
Hersteller: Infineon
Zustand: neu, ungebraucht aus aktueller Fertigung
