Weitere Highend Audio-Komponenten finden Sie in unserem eBay Shop!
STMicroelectronics Silicon Carbide Schottky Diode
Sie bieten auf 1 Stück SiC Diode STPSC1006D
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
Features:
- No or negligible reverse recovery
- Switching behavior independent of temperature
- Particularly suitable in PFC boost diode function
Menge: 1 Stück
Artikelnummer: 856069
Artikelbezeichnung: STPSC1006D
Nennstrom IF(Tc=115°C): 10A
Durchlassspannung VF (typ.): 1,4 - 1,6V
Periodische Spitzensperrspannung VRRM: 600V
Funktion: SiC-Schottky 600V 10A TO220AC
Betriebstemperaturbereich: -40...175°C
Gehäuse: TO220AC
Hersteller: STMicroelectronics
Zustand: neu, ungebraucht aus aktueller Fertigung
