2x BUZ100 Power Transistor N-Ch MOSFET 50V 60A

Artikelbeschreibung des Verkäufers


Type Designator: BUZ100

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 250 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 50 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 60 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Rise Time (tr): 100 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 800 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.018 Ohm

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