Attribut de produit |
Valeur d'attribut |
Fabricant: |
onsemiconductor |
Catégorie
du produit: |
Transistors
bipolaires - BJT |
RoHS: |
|
Style de
montage: |
Through
Hole |
Package/Boîte: |
TO-92-3 |
Polarité
du transistor: |
NPN |
Configuration: |
Single |
Collecteur
- Tension de l'émetteur VCEO max.: |
80 V |
Collecteur
- Tension de base VCBO: |
80 V |
Émetteur -
Tension de base VEBO: |
4 V |
Tension de
saturation collecteur-émetteur : |
250 mV |
Courant CC
max. du collecteur: |
500 mA |
Pd -
Dissipation d’énergie : |
625 mW |
Produit
gain-bande passante fT : |
100 MHz |
Température
de fonctionnement min.: |
- 55 C |
Température
de fonctionnement max.: |
+ 150 C |
Série: |
|
Conditionnement: |
Bulk |
Marque: |
onsemiconductor /
Fairchild |
Courant de
collecteur continu : |
500 mA |
Hauteur: |
5.33 mm |
Longueur: |
5.2 mm |
Type de
produit: |
BJTs -
Bipolar Transistors |
10000 |
|
Sous-catégorie: |
Transistors |
Technologie: |
Si |
Largeur: |
4.19 mm |
Poids de
l''unité: |
201 mg |