Int.: R4/009

Biete 1 Stück Leistungstransistor BUT 35.

Material: Si

Die Struktur des Transistors: npn

Maximal zulässige Kollektorverlustleistung (Pc): 250W

Kollektor-Basis-Spannung BUT35 (Ucb): 100OV

Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) (Uce): 700V

Emitter-Basis-Spannung (Ueb): 10V

Kollektorgleichstrom BUT35 (Ic max): 40A

Temperatur-Grenzwert von pn-Übergang (Tj): 200°C

Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz) (Ft): -

Kapazität der Kollektorsperrschicht (Cc), Pf: -

Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung (Hfe), min/max: 15MIN

Hersteller: MOTOROLA

Körper BUT35 : TO3

Die Anwendung des Transistors BUT35 : Darlington, Power

Siehe Originalfoto.