Int.: R4/009
Biete 1 Stück Leistungstransistor BUT 35.
Material: Si
Die Struktur des Transistors: npn
Maximal zulässige Kollektorverlustleistung (Pc): 250W
Kollektor-Basis-Spannung BUT35 (Ucb): 100OV
Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) (Uce): 700V
Emitter-Basis-Spannung (Ueb): 10V
Kollektorgleichstrom BUT35 (Ic max): 40A
Temperatur-Grenzwert von pn-Übergang (Tj): 200°C
Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz) (Ft): -
Kapazität der Kollektorsperrschicht (Cc), Pf: -
Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung (Hfe), min/max: 15MIN
Hersteller: MOTOROLA
Körper BUT35 : TO3
Die Anwendung des Transistors BUT35 : Darlington, Power
Siehe Originalfoto.