 | | | | GT50JR22(STA1,E,S) Transistor: IGBT 600V 44A 115W TO3PN TOSHIBA 
GT50JR22(STA1,E,S) Transistor: IGBT 600V 44A 115W TO3PN TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Transistor-Typ: IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Kollektor-Emitter-Strom: 44A
Verlustleistung: 115W
Gehäuse: TO3PN
Gate - Emitter Spannung: ±25V
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Montage: THT
Verpackungs-Art: Tube
Anschaltzeit: 250ns
Ausschaltzeit: 330ns
GT50JR22(STA1,E,S) Transistor: IGBT 600V 44A 115W TO3PN TOSHIBA
Fabricant: TOSHIBA
Montage: THT
Genre de la emballage: tube
Boîtier: TO3PN
Puissance de dissipation: 115W
Courant du collecteur d'impulsion: 100A
Type de transistor: IGBT
Temps de connection: 250ns
Temps d'extinction: 330ns
Tension entrée - émetteur: ±25V
Courant du collecteur: 44A
Tensions collecteur-émetteur: 600V |  | | Die empfohlene Zahlungsmethode ist das integrierte Zahlungssystem von Ebay. Der Versand der Ware erfolgt aus unserem deutschen Lager in der Europäischen Union. Für Kunden außerhalb der Europäischen Union - bitte beachten Sie, dass Einfuhrzölle und Steuern in Ihrer Verantwortung liegen. Wir führen elektronische Komponenten, Automatisierungsprodukte und Werkzeuge von mehr als 5.000 Herstellern. Auch wenn Sie ein Produkt in unserem Katalog nicht finden - senden Sie uns gerne eine E-Mail über das Ebay-Kommunikationssystem und wir werden versuchen zu helfen |  | | Wir sind ein in Großbritannien ansässiges Unternehmen mit einem Vertriebszentrum in Hamburg, Europa. Unser neu eröffnetes Vertriebszentrum in der Region Hamburg in Deutschland ermöglicht eine schnelle und kostengünstige Lieferung in die gesamte Europäische Union und darüber hinaus.
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