Technische Daten 2SK2221:
Fabrikat: Hitachi
MPN: 2SK2221
Produktdaten:
Gate to Source Voltage: +/-20 V
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.0 V
Maximum DC Collector Current: 8 A
Maximum Collector-Base Voltage: 200 V
Maximum Base-Emitter Voltage: 8 V
Channel Temperature: 150°
Package/Case: TO-3P
Transistor Category: Power Transistor
Maximum Power Dissipation: 100 W
Technische Daten 2SJ352:
Fabrikat: Hitachi
MPN: 2SJ352
Produktdaten:
Gate to Source Voltage: +/-20 V
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.0 V
Maximum DC Collector Current: -8 A
Maximum Collector-Base Voltage: -200 V
Maximum Base-Emitter Voltage: -8 V
Channel Temperature: 150°
Package/Case: TO-3P
Transistor Category: Power Transistor
Maximum Power Dissipation: 100 W
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