IGBT Leistungstransistor FGA25N120 1200V 313W Q8P93300
IGBT Leistungstransistor FGA25N120 1200V 313W
FGA25N120 Leistungstransistor nutzt NPT-Technologie, die sehr eng Parameter Verteilung, hohe Robustheit, Leistung und Temperatur parallel Switching-Funktionalitaet bietet.
Diese Macht Transistor fuer Motorsteuerungen, Wechselrichter und Schaltnetzteile aufgebaut.
Konzipiert fuer Motorsteuerungen, Wechselrichter, Schaltnetzteile
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
DC Collector Strom: 46V (bei 25 ℃), 25V (bei 100 ℃)
Kurzschlussfestigkeit Time: 10 us
Leistungsverlust: 313W (bei 25 ℃)
Paket: TO-247AC
Pin Laenge: Ca. 0,8
Insgesamt Groesse (L x B x T): Ca. 1,6 x 0,6 x 0,2
Lieferumfang: 1x FGA25N120 Leistungstransistor