1*2*5 ou 10 Paires de Transistors

S9012 + S9013

(Une paire = 1 x S9012+ 1 x S9013)

Caractéristiques :

Type Designator: S9012

Material of Transistor: Si

Polarity: PNP

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.3 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 40 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 150 MHz

Collector Capacitance (Cc): 5 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), 210 en moyenne et mesurée

Tension Vbe = 700mv en moyenne et mesurée

Package: TO92

Type Designator: S9013

Type Designator: S8550

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.625 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 40 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 150 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE) : 230 en moyenne et mesurée

Tension Vbe = 720mv en moyenne et mesurée

Package: TO92

(2019)

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