Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ: N-MOSFET
Technologie: ™ 3
Polarisierung: unipolar
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 100A
Verlustleistung: 214W
Gehäuse: PG--3
Gate-Source Spannung: 20V
Widerst im Leitungszust: 4.5mΩ
Montage: THT
Verpackungs-Art: Tube
Kanal-Art: stark