Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gate-Ladung: 235nC
Polarisierung: unipolar
Technologie: UltrT®
Drainstrom: 73A
Kanal-Art: stark
Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verpackungs-Art: Tube
Gehäuse:
Widerst im Leitungszust: 10mΩ
Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT
Verlustleistung: 270W