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SRAM Speicher 8kx8bit 55ns parallel 2,7÷5,5V DIP28 600mils AS6C6264-55PIN Para

Technische Daten

Hersteller: ALLIA MEMORY
Montage: THT
Gehäuse: DIP28
Zugriffszeit: 55ns
Schaltungsbreite: 600mils
Integrierten Schaltkreises-Typ: SRAM Speicher
Eigenschafte integrierter Schaltkreise:
Speicherkapazität: 64kbit
Schnittstelenart: parallel
Speicherorganisation: 8kx8bit
Betriebsspannung: 2.7...5.5V
Speicher-Art: asynchron
Speicher-Art: SRAM