Hersteller: DIODES INCORPORATED
Verpackungs-Art: B
Verpackungs-Art: Rolle
Montage: SMD
Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
Drainstrom: 0.23A
Kanal-Art: stark
Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Gehäuse: SOT23
Widerst im Leitungszust: 5Ω
Gate-Source Spannung: 8V
Verlustleistung: 0.4W
Polarisierung: unipolar