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| MOSFET BSS816 | |
|---|---|
Leitungstyp |
N-Channel |
| VDS, max. Spannung Drain-Source | 20 V |
| ID, max. Dauer-Drainstrom | 1,4 A |
| VGS(th), Gate-Schwellenspannung | 0,75 V |
| RDS(on), max. Drain-Source Widerstand | 240 mOhm (VGS 1,8V)
180 mOhm (VGS 2,5V) |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Hersteller/Herstellerbezeichnung | Infineon / BSS816NW |
| Bezugsquelle | Hersteller / Autorisierte Distribution |
| Datenblatt | |
| Adapterplatine auf Rastermaß 2,54 mm | |
| Epoxid, Oberfläche: ENIG (vergoldet) hohe Planarität, Lötstopplack | |
| Doppelseitig, durchkontaktiert, mit Kühlflächen auf Platine | |
| Beidseitig mit zusätzlichen Pads für weitere SMT-Komponenten | |
| Die MOSFETs sind bei Lieferung nicht auf den Platinen montiert | |
Versand
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