Mosfet, P, Dil , de Mosfet - Simple Transistors, Qty.1 IRFD9110PBF

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MOSFET, P, DIL
Polarité du transistor : canal P
ID de courant de drain continu : 700 mA
100V
Sur Résistance Rds (on): 1.2ohm
10V
4V
Dissipation de puissance Pd : 1,3 W
Style de boîtier de transistor : DIP
Non. de broches : 4 broches
Température de fonctionnement maximale : 175 °C
700mA
Température actuelle : 25 °C
Température nominale pleine puissance : 25 °C
Espacement des fils : 2,54 mm
Non. de Transistors: 1
55°C
55°C à +175°C
Idm de courant d'impulsion : 5,6 A
Pas de rangée : 7,62 mm
100V
Tension Vgs Max : 20 V
10V

MOSFET, P, DIL Polarité du transistor : canal P ID de courant de drain continu : 700 mA 100V Sur Résistance Rds (on): 1.2ohm 10V 4V Dissipation de puissance Pd : 1,3 W Style de boîtier de transistor : DIP Non. de broches : 4 broches Température de fonctionnement maximale : 175 °C 700mA Température actuelle : 25 °C Température nominale pleine puissance : 25 °C Espacement des fils : 2,54 mm Non. de Transistors: 1 55°C 55°C à +175°C Idm de courant d'impulsion : 5,6 A Pas de rangée : 7,62 mm 100V Tension Vgs Max : 20 V 10V
Manufacturer Name VISHAY
Weight 0.551 gram
EAN Does not apply
MPN IRFD9110PBF
Type Transistors
Brand VISHAY
Manufacturer Part Number IRFD9110PBF
Pack Size 1
Model IRFD9110PBF
Form Factor MOSFET's - Single Transistors
Country or region United States