MOSFET, P, DIL
Polarité du transistor : canal P
ID de courant de drain continu : 700 mA
100V
Sur Résistance Rds (on): 1.2ohm
10V
4V
Dissipation de puissance Pd : 1,3 W
Style de boîtier de transistor : DIP
Non. de broches : 4 broches
Température de fonctionnement maximale : 175 °C
700mA
Température actuelle : 25 °C
Température nominale pleine puissance : 25 °C
Espacement des fils : 2,54 mm
Non. de Transistors: 1
55°C
55°C à +175°C
Idm de courant d'impulsion : 5,6 A
Pas de rangée : 7,62 mm
100V
Tension Vgs Max : 20 V
10V
Manufacturer Name | VISHAY |
Weight | 0.551 gram |
EAN | Does not apply |
MPN | IRFD9110PBF |
Type | Transistors |
Brand | VISHAY |
Manufacturer Part Number | IRFD9110PBF |
Pack Size | 1 |
Model | IRFD9110PBF |
Form Factor | MOSFET's - Single Transistors |
Country or region | United States |