Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von CMOS-Transistoren

Einband
Taschenbuch
Autor(en)
Flachowsky, Stefan
Verlag
Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften
Ausgabe
2011
Formatangaben
216 Seiten; 220 x 150 mm
Sprache
ger
ISBN
3838126068
ISBN-13 / EAN
9783838126067
Schlagworte
MOSFET (MOS-Feldeffekt-Transistor), Skalierung, Transistor, CMOS, Transistor, MOSFET, Skalierung, Verspannungstechniken, Ladungsträgerbeweglichkeit, verspanntes Silizium, SiGe, Si:C
Preis
EUR 89,90 (inkl. MwSt.)
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Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von CMOS-Transistoren
Mit dem Erreichen der Grenzen der konventionellen MOSFET-Skalierung werden neue Techniken untersucht, um die Leistungsfähigkeit der CMOS-Technologie dem bisherigen Trend folgend weiter zu steigern. Einer dieser Ansätze ist die Verwendung mechanischer Verspannungen im Transistorkanal. Mechanische Verspannungen führen zu Kristalldeformationen und ändern die elektronische Bandstruktur von Silizium, so dass n- und p-MOSFETs mit verspannten Kanälen erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeiten und demzufolge eine gesteigerte Leistungsfähigkeit aufweisen. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den Auswirkungen mechanischer Verspannungen auf die elektronischen Eigenschaften planarer Silicon-On-Insulator-MOSFETs für Höchstleistungsanwendungen sowie mit deren Optimierung und technologischen Begrenzungen. Die unterschiedlichen Konzepte zur Erzeugung der Verspannung werden kurz rekapituliert. Wesentliche Parameter für eine Erhöhung der Verspannung werden mit Hilfe von Experimenten und numerischen Simulationen bestimmt und technologische Herausforderungen bei der Prozessintegration diskutiert.
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