Fabricant SHINDENGEN

Type de transistor N-MOSFET

La technologie Hi-PotMOS2

Polarisation unipolaire

Tension drain-source 600V

Courant du drain 7A

Courant du drain dans l'impulsion 28A

Puissance de dissipation 79W

Boîtier FTO-200AG (SC91)

Tension entrée-source ±30V

Résistance en état de conduction 1.05Ω

Montage THT

Charge d'entrée 19nC

Genre de canal enrichi