IRF9620 Transistor P-MOSFET 200V 2,5A 40W TO220AB 5Pcs(C2)
This P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.
All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power.
These types can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA17502.
Features3.5A, 200V rDS(ON) = 1.500 Single
Pulse Avalanche Energy Rated SOA is
Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer Characteristics High Input Impedance
Nessuna garanzia di funzionamento fondo di magazzino materiale surplus
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