Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 8 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	2 mA to 20 mA
Id - Drain-Gleichstrom:	10 mA
Pd - Verlustleistung:	350 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C