Typ IRF9Z34N
Gehäuse TO-220
Hersteller Infineon Technologies
Herst.-Abk. INF
Ausführung P-Kanal
I(d) 19 A
U 55 V
Leistung (max) P(TOT) 3.8 W
R(DS)(on) 100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom 10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max. 250 µA
Q(G) 35 nC
Q(G) Referenz-Spannung 10 V
C(ISS) 620 pF
C(ISS) Referenz-Spannung 25 V
Betriebstemperatur (min.) -55 °C
Montageart Oberflächenmontage
Serie HEXFET®
Betriebstemperatur (max.) +175 °C
Transistor-Merkmal Standard
U(DSS) 55 V
Kanäle 1
Inhalt 1 St.
Produkt-Art MOSFET