Hochspannungs-MOSFET/IGBT-Gate-Treiber IC

Low-/High-Side-Typ

U_offset = 600 V
U_out = 10 ... 15,6 V
I_o+ = -
I_o- = -
t_on = -
t_off = -
MT = -
DT = 1,2 µ


Gehäuse SO8

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).