2N5322 2N 5322 Silicon Si PNP Transistor 100V 2A 10W TO-39 new old stock NOS
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2N5322 2N 5322 Silicon Si PNP Transistor 100V 2A 10W TO-39 new old stock NOS
Informazioni
Type Designator: 2N5322
Material of Transistor: Si
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 75 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 2 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C
Transition Frequency (ft): 50 MHz
Collector Capacitance (Cc): 40 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 30
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