BD113 BD 113 Transistor Silicon Si-NPN 60V 10A 15W TO-3 case new old stock NOS
BD113 BD 113 Transistor Silicon Si-NPN 60V 10A 15W TO-3 case new old stock NOS
Information
Type Designator: BD113
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 15 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 60 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40
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