IRF9130 Transistor 100V 11A repetitive avalanche DV DT rated hexfet 4X Pack NOS
IRF9130 Transistor 100V 11A repetitive avalanche DV DT rated hexfet 4X Pack NOS
Caratteristiche
Type Designator: IRF9130
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 75 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Drain Current |Id|: 11 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 29 nC
Drain-Source Capacitance (Cd): 860 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.35 Ohm
Questa inserzione include 4 pezzi
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