Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 12

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 60

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 60

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 1

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 50

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 40

Boitier: TO126

(2024)