Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ: N-MOSFET
Technologie: ™ 3
Polarisierung: unipolar
Drain-Source Spannung: 120V
Drainstrom: 120A
Verlustleistung: 300W
Gehäuse: PG--3
Gate-Source Spannung: 20V
Widerst im Leitungszust: 4.8mΩ
Montage: THT
Verpackungs-Art: Tube
Kanal-Art: stark