Hersteller: STMicroelectronics
Transistor-Typ: N-MOSFET
Technologie: MDmesh™ || Plus
Polarisierung: unipolar
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 7A
Verlustleistung: 25W
Gehäuse: FP
Gate-Source Spannung: 25V
Widerst im Leitungszust: 0.38Ω
Montage: THT
Verpackungs-Art: Tube
Kanal-Art: stark
Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate