Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ: N-MOSFET
Technologie: ™
Polarisierung: unipolar
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 7A
Verlustleistung: 29W
Gehäuse: TO220FP
Gate-Source Spannung: ±20V
Widerst im Leitungszust: 0.225Ω
Montage: THT
Verpackungs-Art: Tube
Kanal-Art: stark

Artikel ID: IPA65R225C7XKSA1

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