Hersteller: ONSEMI
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Topologie: MOSFET Halbbrücke
Integrierten Schaltkreises-Art: high-side
Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates
Gehäuse: SO8
Ausgangsstrom: -800...500mA
Versorgungsspannung: 5.5...20V DC
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...140°C
Impulsanstiegszeit: 19ns
Impulsabfallzeit: 17ns