Produttore: SHINDENGEN
Tipo di transistor: N-MOSFET
Tecnologia: EETMOS3
Polarizzazione: unipolare
Tensione drain-source: 75V
Corrente di scarico: 66A
Corrente di assorbimento in impulso: 264A
Dissipazione di potenza: 51W
Custodia: FTO-200AG (SC91)
Tensione gate-source: 20V
Resistenza in stato di linea: 5mΩ
Montaggio: THT
Carica del cancello: 115nC
Tipo di imballaggio: non imballato
Tipo di canale: forte
Gehäuse | FTO-200AG |
Polarisierung | unipolar |
Hersteller | SHINDENGEN |
Montage | THT |
Verpackungs-Art | unverpackt |
Gate-Source | Spannung: |
Drain-Source | Spannung: |
Kanal-Art | stark |
Widerstand | im |
Transistor-Typ | N-MOSFET |
Gate-Ladung | 115nC |
Drainstrom | im |
Technologie | EETMOS3 |
Verlustleistung | 51W |