EETMOS3 Unipolare 75V Transitore: N-Mosfet 51W 66A Idm :264A

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EETMOS3 unipolare 75V Transistor: N-MOSFET 51W 66A Idm: 264A

Specifiche tecniche

Produttore: SHINDENGEN
Tipo di transistor: N-MOSFET
Tecnologia: EETMOS3
Polarizzazione: unipolare
Tensione drain-source: 75V
Corrente di scarico: 66A
Corrente di assorbimento in impulso: 264A
Dissipazione di potenza: 51W
Custodia: FTO-200AG (SC91)
Tensione gate-source: 20V
Resistenza in stato di linea: 5mΩ
Montaggio: THT
Carica del cancello: 115nC
Tipo di imballaggio: non imballato
Tipo di canale: forte

 
EETMOS3 unipolare 75V Transistor: N-MOSFET 51W 66A Idm: 264A
Gehäuse FTO-200AG
Polarisierung unipolar
Hersteller SHINDENGEN
Montage THT
Verpackungs-Art unverpackt
Gate-Source Spannung:
Drain-Source Spannung:
Kanal-Art stark
Widerstand im
Transistor-Typ N-MOSFET
Gate-Ladung 115nC
Drainstrom im
Technologie EETMOS3
Verlustleistung 51W