Transistor : N-Mosfet Unipolaire 6,2A 650V F AOTF10N65 N-Kanal-Transistoren Tht

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Transistor: N-MOSFET unipolaire 6.2A 650V F AOTF10N65 Transistors à canal N THT

Spécifications techniques

Fabricant : ALPHA & SEMICONDUCTOR
Type de transistor : N-MOSFET
Polarisation : unipolaire
Tension drain-source : 650 V
Courant de vidange : 6,2 A
Boîtier : TO220F
Tension grille-source : 30 V
Résistance en ligne : 1Ω
Montage : THT
Charge de porte : 27,7 nC
Type de canal : fort

 
Transistor: N-MOSFET unipolaire 6.2A 650V F AOTF10N65 Transistors à canal N THT
Gehäuse TO220F
Polarisierung unipolar
Hersteller ALPHA
Montage THT
Gate-Source Spannung:
Drain-Source Spannung:
Kanal-Art stark
Herstellernummer AOTF10N65
Transistor-Typ N-MOSFET
Gate-Ladung 27.7nC
Drainstrom 6.2A
Widerst im