Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-Typ: N-MOSFET
Technologie: ™ 3
Polarisierung: unipolar
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 83A
Verlustleistung: 214W
Gehäuse: PG--3
Gate-Source Spannung: 20V
Widerst im Leitungszust: 11.1mΩ
Montage: THT
Verpackungs-Art: Tube
Kanal-Art: stark