Transitore: Igbt Eaus : 0,12mJ Per 10W 650V 5A Eein : 0,09mJ AOTF5B65M1 Tht-T
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Transistor: IGBT Eout: 0.12mJ F 10W 650V 5A Ein: 0.09mJ AOTF5B65M1 IGBT THT-T
Dati tecnici
Produttore: ALPHA & SEMICONDUCTOR
Tipo di transistor: IGBT
Tensione collettore-emettitore: 650V
Corrente collettore-emettitore: 5A
Dissipazione di potenza: 10 W
Alloggio: f
Voltaggio cancello-emettitore: 30V
Corrente di collettore in impulso: 15A
Assemblaggio: THT
Carica del gate: 14nC
Tipo di imballaggio: tubo
Tempo di accensione: 21ns
Tempo di spegnimento: 157 ns
Spegnere l'energia: 0,12 mJ
Energia di accensione: 0,09 mJ
| Gehäuse | TO220F |
| Ausschaltenergie | 0.12mJ |
| Hersteller | ALPHA |
| Kollektorstrom | im |
| Montage | THT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 5A |
| Ausschaltzeit | 157ns |
| Einschaltenergie | 0.09mJ |
| Gate-Ladung | 14nC |
| Anschaltzeit | 21ns |
| Transistor-Typ | IGBT |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Verlustleistung | 10W |